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碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管
SiC MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，更高的工作頻率，開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，SiC MOSFET與Si IGBT器件相比可降低開(kāi)關(guān)損耗70%，高溫特性好、穩(wěn)定性高。
| 型號(hào) | 漏極電壓（VDS） | 導(dǎo)通電阻（RDS（on）） | 電流（ID） | 封裝形式 | 規(guī)格書(shū)下載 |
|---|---|---|---|---|---|
| CGE1M120030 | 1200V | 30mΩ | 80A | TO-247-3 |  |
| CGE1M120060 | 1200V | 60mΩ | 44A | TO-247-3 | |